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令电子工程师又怕又恨.板子上MOS管真的能持续安全工作吗?

 发布时间：2020-07-10
板子上的功率MOS管是否能持续安全工作.是设计者最担心的问题.炸机.用着用着就坏了.莫名其妙MOS管就炸了.工程师遇到这些真是又怕又恨.可到底是哪里出问题了呢?这一切其实都和SOA有关.我们知道开关电源中MOSFE ...<全部>
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新的保护电池供电系统的解决方案

 发布时间：2020-06-23
电池供电的电子产品给电源系统工程师造成了多种挑战.从理论层面上看.电池相关电路 (在 DC/DC 转换之前) 可以分成 4 种功能:电源选择.充电 (就充电电池而言).监视和保护.在电池供电的系统中一般提供多种电源. ...<全部>
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硬件电路工程师是做什么的.这篇文章受益匪浅!

 发布时间：2020-06-19
本文主要针对那些刚开始或准备开始搞设计硬件电路的工程师.高级别的硬件工程师看这篇文章就没必要了.时光飞逝.离俺最初画第一块电路已有3年.刚刚开始接触电路板的时候.与你一样.俺充满了疑惑同时又带着些兴奋 ...<全部>
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Vishay推出新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET

 发布时间：2020-06-18
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET.Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高 ...<全部>
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德州仪器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET

 发布时间：2020-06-18
德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET.其支持 40V 至 100V 输入电压.进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营.高效率 NexFET 包括 40V.60V.80V 以及 100V N 通道器件.可为广泛大 ...<全部>
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Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

 发布时间：2020-06-18
近日.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E.Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%.为通信. ...<全部>
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东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

 发布时间：2020-06-18
东芝已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品--[TPHR7904PB"和[TPH1R104PB".这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品.批量生产即日启动.这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS ...<全部>
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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

 发布时间：2020-06-17
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN.Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Silic ...<全部>
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为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?

 发布时间：2020-06-17
为了稳定性.必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?只要问任何经验丰富的电气工程师--如我们今天故事里的教授 Gureux --在 MOSFET 栅极前要放什么.你很可能会听到[一个约 100 Ω 的电阻".虽然我们对这个问题 ...<全部>
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使用小型缓冲器来解决快速切换问题(超实用干货)

 发布时间：2020-06-15
开关模式功率转换器通常效率较低.因为它们的开关速度会提高.记住这一点非常重要.因为开关模式电源中的瞬态功耗随着电压和电流在高电平和低电平之间摆动而增加.可以达到千瓦峰值.这些瞬态损耗与开关频率成正比. ...<全部>
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